Research Subjects

 

LAB OVERVIEW

 

表面光吸収法を用いたNEA表面活性化機構解明、および高効率、長寿命電子線源への応用

超高真空STMを用いたNEA表面の構造解析と活性電子放出サイトの同定

ナノ・コーン周期構造を有する表面の形成と新奇電子線源の提案

新奇マルチアルカリカソードの開発研究

重合フラーレン結晶上におけるアルカリ金属の長周期自然配列構造の研究

 


 

多価イオンを用いたナノスケールでの表面電子状態制御

低速多価イオン(Ar8+, KE=400eV)を高配向生グラファイトに照射することにより、ナノスケールでsp2からsp3への遷移が誘起され、ナノダイヤモンド状になることを見出しました。この実験結果はNECの宮本氏により、地球シミュレータ上で再現されました。

 

デジタルエッチング

原子層結晶成長と同様に、表面を原子層単位でエッチングする手法の開発を行いました。開始当初は低速イオンビーム、電子線の利用により行っていましたが、この実験のために深紫外波長可変レーザーを開発し、エキシマレーザー等では得られない波長域の光に対するデジタルエッチングの知見を得ています。

 

原子層結晶成長

アルゴンイオンレーザー(λ=514.5nm)を用いたIII-V族加工物半導体の原子層結晶成長(ALE)において、その機構の解明をSPA法により行いました。さらに、水素ラジカル援用や吸着種の表面脱離速度差を利用した新たなALEの提案を行っています。